[发明专利]一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法

摘要

本发明提供了一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法和相应的Ga2O3薄膜和光电探测器。所述方法包括：在衬底上生成初始的ε相晶体结构Ga2O3薄膜，并在富氧环境下对所述初始的Ga2O3薄膜进行退火处理，以得到最终的Ga2O3薄膜。本发明的方法能够有效改善ε相氧化镓的结晶质量和缺陷浓度，使ε相氧化镓的光电响应性能大幅度提升，达到光电探测器应用要求。