[发明专利]一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法

权利要求书

1.一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上生成初始的Ga₂O₃薄膜，该Ga₂O₃薄膜为ε相晶体结构；

在富氧环境且在400～960℃的温度下，对所述初始的Ga₂O₃薄膜进行退火处理以降低该Ga₂O₃薄膜的氧空位浓度，得到最终的Ga₂O₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述富氧环境的气体流量为0～200ml/min的氧气。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体流量为20～80ml/min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理时间为10～300min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述富氧环境的氧含量大于50％。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600～800℃。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述最终的Ga₂O₃薄膜的O/Ga原子比为1.35～1.65，O_II/O_I比值为0.1～0.4。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述最终的Ga₂O₃薄膜的O/Ga原子比为1.45～1.55，O_II/O_I比为0.24～0.36。

9.一种用于光电探测器的Ga₂O₃薄膜，其特征在于，所述Ga₂O₃薄膜为ε相，使用权利要求1所述的方法制备，且其O/Ga原子比为1.35～1.65，O_II/O_I比值为0.1～0.4。

10.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括使用权利要求9所述的Ga₂O₃薄膜。