[发明专利]一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器有效
| 申请号： | 202110297244.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113113754B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;肖洒;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 宁文涛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器，包括硅衬底，沿硅衬底的中心轴线两侧分别对称设有通孔，两个通孔内分别采用铜材料填充，二氧化硅作为铜和硅衬底之间的隔离层，即TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上端连接输入臂的一端，输入臂的另一端连接RDL电感I；TSV‑I的下端连接直通臂的一端，直通臂的另一端连接RDL电感II；TSV‑II的上端连接耦合臂的一端，耦合臂的另一端连接RDL电感III，TSV‑II的下端连接隔离臂的一端，隔离臂的另一端连接RDL电感IV；本发明解决了目前定向耦合器存在的耦合度、隔离度不高且调试困难、生产环节复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rdl 电感 补偿 硅通孔 定向耦合器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110297244.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于硅通孔技术的定向耦合器
- 下一篇：OLED显示面板和OLED显示装置
