[发明专利]一种双栅极结构的横向场发射晶体管阵列在审
| 申请号： | 202110274007.2 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112951686A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 柏宁丰;陈庭旭;洪玮;沈长圣;吴晨;孙小菡 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J21/10 | 分类号： | H01J21/10;H01J19/38;H01J19/32;H01J19/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用双栅极结构的横向场发射晶体管阵列，包括阴极、阳极、栅极介质层、电子束控制栅极、信号调制栅极。阴极和阳极均位于栅极介质层的上表面，并相对平行设置，之间设有空气间隙。阴极由阴极衬底和阴极发射体构成，阴极发射体由第一锥形薄膜尖端阵列组成。阳极由阳极结构体和阳极衬底构成，阳极结构体由第二锥形薄膜尖端阵列组成。电子束控制栅极和信号调制栅极均位于栅极介质层的下表面，并相对平行设置于空气间隙下方。本发明通过调制栅极上的信号，调制阴极发射的电子束，阳极接收调制过后的电子束大电流信号，信号获得放大。相对现有技术，解决场发射晶体管输出电流低、功率增益低、漏电流大的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 结构 横向 发射 晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
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