[发明专利]一种新型的GaN基ESD防护电路

摘要

本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基ESD防护电路。与常规的由二极管组组成的ESD防护电路不同的是，本发明基于增强型p‑GaN HEMT器件，GaN基触发二极管组，限流电阻组成ESD防护电路。本发明利用增强型p‑GaN HEMT器件的栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。同时，在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能够降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。另外，由于该发明制备过程与增强型p‑GaN HEMTs工艺兼容，能够大幅降低与被防护器件集成时的制备工艺难度。该发明适用于增强型p‑GaNHEMTs栅极防护，GaN射频功率放大器的输入输出端口等电路。