[发明专利]压电薄膜式温度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110255505.2 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113049128B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;尤政;贺如松 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 方晓燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种压电薄膜式温度传感器及其制备方法。压电薄膜式温度传感器包括：衬底，设置于所述衬底的布拉格反射层，设置于所述布拉格反射层远离所述衬底的部分表面的第一电极，设置于所述第一电极和所述布拉格反射层远离所述衬底的表面的压电薄膜层，以及设置于所述压电薄膜层远离所述第一电极的表面的第二电极。所述压电薄膜层为单晶材料层。本申请中，所述压电薄膜式温度传感器采用所述布拉格反射层作为声学反射层，相比于空气型或背蚀空腔型薄膜体声波谐振器结构刚度较好，工艺相对简单，良品率高，更加适合大批量生产。本申请中所述压电薄膜式温度传感器的结构设计简单，可无线化且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的良好特性。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 温度传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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