[发明专利]鳍片高度的确定方法、装置、系统、设备以及介质有效
| 申请号： | 202110254915.5 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113066734B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 王健;毛宏坤;李承启;杨一鸣 | 申请（专利权）人： | 普迪飞半导体技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/06;G01R27/08 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 李茂林;徐海晟 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍片高度的确定方法、装置、系统、设备以及介质，其中鳍片高度的确定方法，包括：获取第一栅极结构的第一电阻信息，以及第二栅极结构的第二电阻信息，所述第一栅极结构设于对应的隔离层与鳍片上，所述第二栅极结构设于对应的隔离层上；所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的电阻率均为目标电阻率，且所述第一栅极结构与所述第二栅极结构相对于对应隔离层的高度相同；根据所述第一电阻信息与所述第二电阻信息，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度；测量结构简单，且测量方便；同时，电阻信息的测量可以覆盖单个晶体管或多个晶体管，进而可提供多组数据范围帮助后续数据分析；测得的电阻信息可帮助筛选出不良品。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 确定 方法 装置 系统 设备 以及 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
