[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备有效
| 申请号： | 202110253001.7 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN112909012B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/30;H10B43/20;H10B51/10;H10B51/30;H10B51/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；围绕栅堆叠的外周的有源区，有源区包括第一和第二源/漏区以及它们之间的第一沟道区以及第三和第四源/漏区以及它们之间的第二沟道区，其中，存储功能层介于栅导体层与有源区之间；分别从第一至第四源/漏区横向延伸的第一、第二、第三和第四互连层；以及相对于衬底竖直延伸以穿过第一至第四互连层的源极线接触部。源极线接触部与第一互连层和第二互连层之一电连接，且与第三互连层和第四互连层之一电连接。 | ||
| 搜索关键词： | nor 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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