[发明专利]一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件在审
| 申请号： | 202110252399.2 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113161476A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 徐家伟;孟德全;赵阳;程冲;苏玉荣;杨昌平;梁世恒 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12;G06N3/063 |
| 代理公司： | 武汉世跃专利代理事务所(普通合伙) 42273 | 代理人： | 倪娅 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件，包括由下至上依次设置的衬底、重金属层、绝缘势垒层和电极层组成，为三明治结构。本发明有望实现神经元突触中的多态神经递质，为人工智能中的人工神经网络领域里新型神经元突触存储器件开发提供物理基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 明子 神经元 突触 存储 器件 | ||
【主权项】：
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