[发明专利]一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺在审

专利信息
申请号: 202110239045.4 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN112919883A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 盖伟;贾泽夏;古建国;尹凯;张立新 申请(专利权)人: 云南戊电靶材科技有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/626
代理公司: 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 代理人: 马尚伟
地址: 661000 云南省红河哈尼族彝*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供了一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺,包括:材料混合、研磨、形成浆料、造粒、成型和烧制等步骤,本发明提供的掺钨氧化铟靶材的制备工艺,主要原料由微米级WO3粉和In2O3粉组成,WO3粉在两种粉占重量比为2~10%(wt),通过高密度聚氨酯纳米砂磨机研磨6~12小时形成固含量为40%~70%的浆料,在经过喷雾干燥造粒塔把浆料制成颗粒大小为‑80目~+200目的球形混合粉,制成的WO3和In2O3混合球形粉填充在橡胶模具里冷等静压成型,经过加工成一定形状的靶坯,靶坯装入烧结温度为1300℃~1600℃,氧气氛压力1.0×105Pa~1.0×108Pa的烧结炉中烧结5小时~12小时,得到高密度,低电阻率的掺钨氧化铟陶瓷靶材。
搜索关键词: 一种 氧化 铟靶材 制备 工艺
【主权项】:
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