[发明专利]一种发光二极管及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110099421.4 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112768576B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 叶大千;丘建生;连伟杰;陈秉扬 申请(专利权)人: 天津三安光电有限公司
主分类号: H01L33/04 分类号: H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种发光二极管及制备方法,包括:衬底,具有相对设置的第一表面和第二表面;N型半导体层,位于衬底的第一表面上;中间层,位于N型半导体层的上方;中间层的材料为AlxGa1‑x‑yInyN,其中:0≤x≤1,0≤y≤1;中间层在N型半导体层的上方包括至少两个子中间层、以及设置于相邻两个子中间层之间的掺杂层,子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度;有源层,位于中间层的上方;P型半导体层,位于有源层的上方。本发明所述的发光二极管能够改善发光二极管的光电特性,有效的提高发光二极管的发光强度及效率。
搜索关键词: 一种 发光二极管 制备 方法
【主权项】:
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