[发明专利]稀土钴永磁体、其制造方法和装置在审
| 申请号： | 202110088593.1 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113205935A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 幕田裕和;町田浩明;藤原照彦;金森悠 | 申请（专利权）人： | 株式会社东金 |
| 主分类号： | H01F1/055 | 分类号： | H01F1/055;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 刘晶晶;王庆艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了具有优异磁特性的稀土钴永磁体、这种稀土钴永磁体的制造方法以及装置。稀土钴永磁体由以下成分组成：23至27质量％的R、1.0至5.0质量％的Cu、18至25质量％的Fe、1.5至3.0质量％的Zr和作为余量的Co以及不可避免的杂质，R表示至少包括Sm的稀土元素，其中稀土钴永磁体包含多个晶粒和晶界部分，并且在晶界部分中，Cu的浓度至少为Zr的浓度的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 永磁体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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