[发明专利]包含具有经组合有源区域的标准单元的半导体装置在审
| 申请号： | 202110086191.8 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113161344A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 郭大鹏;古鲁·普拉萨德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及包含具有经组合有源区域的标准单元的半导体装置。根据本发明的一些实施例，一种半导体装置包含在行方向上延伸的第一电源轨及第二电源轨、延伸于所述第一电源轨与所述第二电源轨之间的第三电源轨及第一单元。所述第一单元在垂直于所述行方向的列方向上的单元高度等于所述第一电源轨与所述第二电源轨之间的节距。所述半导体装置还包含布置于所述第一电源轨与所述第三电源轨之间的第二单元。所述第二单元在所述列方向上的单元高度等于所述第一电源轨与所述第三电源轨之间的节距。所述第一单元的第一有源区域包含大于所述第二单元中的第二有源区域在所述列方向上的第二宽度的所述列方向上的第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 组合 有源 区域 标准 单元 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
