[发明专利]一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110075100.0 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112811922B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘学建;张辉;姚秀敏;刘岩;蒋金弟;黄政仁;陈忠明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其制备方法，所述覆铜板的氮化陶硅瓷基片的结构包括氮化陶硅瓷基片、分布在氮化陶硅瓷基片上下两侧的铜板，以及分布在铜板和氮化陶硅瓷基片之间的焊接层；所述氮化陶硅瓷基片的组分包括氮化硅相和晶界相；所述氮化硅相的含量≥95wt%；所述晶界相为至少含有Y、Mg、O三种元素的混合物；所述晶界相的含量≤5wt%，且晶界相中结晶相的含量≥40vol%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜板 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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