[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110072179.1 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112397622B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。将缓冲层包括第一子层与第二子层，第一子层起到过渡作用。层叠在第一子层上的第二子层包括有交替层叠的第二GaN层和BGaN层，一方面缓解晶格失配，并为后续外延结构的生长提供一个良好的基础，而BGaN层由于B原子体积较小，可以插入或填充位错造成的空白位置，减少缓冲层内部所存在的缺陷，且B原子可以起到一定的定位作用，避免位错继续移动至n型GaN层与多量子阱层中，有效提高最终得到的发光二极管外延片的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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