[发明专利]银纳米线、其制备方法及由该银纳米线制得的导电薄膜有效
| 申请号： | 202110067704.0 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112893862B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 马延文;蒋旭;晏少侠 | 申请（专利权）人： | 南京苏展智能科技有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/0545;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 贾曼曼 |
| 地址： | 211111 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种银纳米线、其制备方法及由该银纳米线制得的导电薄膜，其中银纳米线的制备方法包括步骤一、分别制备PVP多元醇溶液、卤化盐多元醇溶液和硝酸银多元醇溶液,其中PVP多元醇溶液浓度是硝酸银多元醇溶液浓度的5‑10倍，卤化盐多元醇溶液浓度是硝酸银多元醇溶液浓度的3‑7倍；步骤二、将制备好的部分硝酸银多元醇溶液加入到卤化盐多元醇溶液中反应制备种子液；步骤三、将剩余的硝酸银多元醇溶液和PVP多元醇溶液混合均匀，将该混合液滴加到种子液中反应，滴加结束后静置反应得到银纳米线;步骤四、将步骤三得到的银纳米线洗涤后定容分散于溶剂中。制备方法工艺简单，成本低，制得的银纳米线具有线长较长、长径比大及颗粒物少的的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 导电 薄膜 | ||
【主权项】：
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