[发明专利]一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法有效
| 申请号： | 202110033688.3 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112359421B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杨夕;朱梦剑;朱志宏 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C23C24/08 | 分类号： | C23C24/08;C30B29/46;C30B23/02 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法，属于半导体材料技术领域，包括如下步骤：以铋氧硒固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉内的一端，基底置于管式炉内的另一端；先向管式炉内通入反向气流并对管式炉内进行加热，达到沉积温度后，在所述沉积温度下保温；保温结束后，再转为向管式炉内通入正向气流以使所述生长原材料在所述基底上沉积生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供了一种采用正反向气流可控制备大面积Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 反向 气流 法制 层状 铋氧硒 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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