[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法在审
申请号: | 202110029852.3 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN112768447A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 韩健;何火军;顾悦吉;黄示;王益来;胡一峰 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07;H01L21/8222 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;李镇江 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法,逆导型绝缘栅双极型晶体管包括:绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区,至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中,绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区;至少一个缓冲区,至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置,分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间,至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本发明实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响,减小了栅极电阻,降低了器件的开关损耗,提高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的