[发明专利]一种GaN单晶生长方法在审
| 申请号： | 202110011662.9 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112921400A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黄亚军;黎忠瑾 | 申请（专利权）人： | 深圳宝铭微电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;C30B25/20 |
| 代理公司： | 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 | 代理人： | 郭振媛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN单晶生长方法，包括以下步骤：S1：采用GaN同质采用制成衬底，通过机械加工，将GaN同质材料加工成直径为5厘米的衬底，将GaN同质材料加工成的衬底固定于基座上，S2：将S1中得到的基座与GaN同质材料制成的衬底固定于石英管炉壁上，采用多个加热装置对石英管炉，使得石英管炉内形成低温区与高温区，而基座与GaN同质材料制成的衬底位于高温区内，其中低温区温度控制在800摄氏度至900摄氏度之间，高温区温度控制在1000摄氏度至1100摄制度之间。通过四步使GaN单晶进行生长，使用的原料及生长过程成本较低,能够在较高的生长速率得到晶体质量和光学性，工艺简单，生长速率快，实用化程度高，可用于生长大尺寸的GaN，厚层GaN缺陷密度小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 生长 方法 | ||
【主权项】：
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