[发明专利]X射线传感器的制备方法及X射线传感器在审

专利信息
申请号: 202110011605.0 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN112786636A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 蔡广烁 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种X射线传感器的制备,包括:提供衬底基板;在衬底基板上制备第一有源层和第二有源层;在第一有源层上方制备第一源漏极,在第二有源层上方制备第二源漏极,第一源漏极的漏级和第二源漏极的源级连接,第一源漏极和第一有源层形成欧姆接触,第二源漏极和第二有源层形成欧姆接触;在第一源漏极和第二源漏极上方制备绝缘层,绝缘层覆盖第一有源层、第二有源层、第一源漏极和第二源漏极;在绝缘层上方与第一有源层和第二有源层对应的区域,分别制备与第一有源层对应的第一栅极层,与第二有源层对应的第二栅极层。该方法减少光接收面积,提高X射线传感器的分辨率;去除光阻挡层,减少制程数,降低成本,减小传感器的尺寸。
搜索关键词: 射线 传感器 制备 方法
【主权项】:
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