[发明专利]X射线传感器的制备方法及X射线传感器在审
申请号: | 202110011605.0 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN112786636A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 蔡广烁 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种X射线传感器的制备,包括:提供衬底基板;在衬底基板上制备第一有源层和第二有源层;在第一有源层上方制备第一源漏极,在第二有源层上方制备第二源漏极,第一源漏极的漏级和第二源漏极的源级连接,第一源漏极和第一有源层形成欧姆接触,第二源漏极和第二有源层形成欧姆接触;在第一源漏极和第二源漏极上方制备绝缘层,绝缘层覆盖第一有源层、第二有源层、第一源漏极和第二源漏极;在绝缘层上方与第一有源层和第二有源层对应的区域,分别制备与第一有源层对应的第一栅极层,与第二有源层对应的第二栅极层。该方法减少光接收面积,提高X射线传感器的分辨率;去除光阻挡层,减少制程数,降低成本,减小传感器的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 射线 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的