[发明专利]一种硅基光混频器结构及制造方法有效
| 申请号： | 202110004547.9 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112666654B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 卢鲁璐子;曹权 | 申请（专利权）人： | 烽火通信科技股份有限公司;武汉飞思灵微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 向彬 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及相干光通信芯片技术领域，提供了一种硅基光混频器结构及制造方法。在硅基片上生成指定数量对的入射波导和出射波导；在硅基片上生成具有预设外轮廓的多模干涉区，在多模干涉区上与光传输方向一致的两条侧边，分别设置有指定间隔距离的坐标点；在生成多模干涉区的指定轮廓时，对坐标点到多模干涉区中轴线的距离的逐级递归调整和测试，并根据逐级递归测试结果中指定维度的性能参数的变化，制定出各个坐标点的到多模干涉区中轴线的目标距离；根据各个坐标点的到多模干涉区中轴线的目标距离，来制作多模干涉区的指定轮廓。本发明通过引入指定轮廓的多模干涉区结构来改善该结构混频器的性能，获得更低、更平坦的相位误差和更大的带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基光 混频器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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