[发明专利]一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件及其制备方法在审
申请号: | 202110003313.2 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112786800A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 张佳旗;高龙;郑伟涛;张晓宇 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人: | 牟炳彦 |
地址: | 130000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于钙钛矿LED器件发光技术领域,公开了一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件及其制备方法,双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件中阳极上依次旋涂空穴注入传输层、第一界面修饰层,空穴传输层、第二界面修饰层、发光层等;空穴传输层中嵌入的界面修饰层。本发明通过多方面整合界面修饰功能来提高器件效率,器件中的第一界面修饰层调控界面接触能级,第二界面修饰层钝化钙钛矿与空穴接触面的缺陷:通过界面修饰使其接触能级受到管理,实现载流子注入平衡的浓度梯度调控。钙钛矿材料作为新型离子型半导体,稳定性差,不平整的界面容易引起较多缺陷,改善空穴传输层与钙钛矿发光层界面接触,降低器件中漏电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 界面 修饰 层钙钛矿 纳米 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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