[发明专利]一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件及其制备方法在审
申请号: | 202110003313.2 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112786800A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 张佳旗;高龙;郑伟涛;张晓宇 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人: | 牟炳彦 |
地址: | 130000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 界面 修饰 层钙钛矿 纳米 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件,其特征在于,所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件设置有:
阳极;
阳极上依次旋涂空穴注入传输层、第一界面修饰层,空穴传输层、第二界面修饰层、发光层、之后热蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极;空穴传输层中嵌入的界面修饰层。
2.如权利要求1所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件,其特征在于,所述从阳极注入空穴载流子,从阴极注入电子载流子。
3.如权利要求1所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件,其特征在于,所述空穴传输层中的空穴传输材料有PVK,Poly-TPD,空穴传输层界面处由多层修饰构成;空穴传输层中的Poly-TPD厚度有20nm~40nm;
所述电子传输层中的电子传输材料有TPBi,TmPyPB,B3PYMPM;空穴注入层与电子传输层厚度30~50nm的PEDOT:PSS和Poly-TPD层;界面修饰层采用PMMA作为界面修饰钝化层厚度约为3~8 nm;发光层厚度15~30nm,电子传输层厚度有35nm~50nm;电子注入层厚度0.7~2nm的LiF薄层,阴极为80~120nm的Al膜。
4.如权利要求1~3任意一项所述的双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件的双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件制备方法,其特征在于,所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件制备方法,包括:
步骤一,ITO玻璃基底的清洗,对ITO玻璃基底进行干燥;将清洗好的ITO玻璃从丙酮溶液中取出,放入异丙醇溶液中,使用前用氮气枪吹干;
步骤二,将干燥好的ITO玻璃基底,放入紫外等离子清洗机中,ITO玻璃基底进行紫外处理;
步骤三,从等离子清洗腔中取出ITO玻璃基底,器件的功能层旋涂处理;
步骤四,将载有旋涂空穴与发光层的ITO玻璃放入托盘中并导入蒸发腔体内;开启设备电源、机械泵、分子泵,对真空腔体抽真空;同时进行PeLED器件的热蒸镀制备。
5.如权利要求4所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件制备方法,其特征在于,所述步骤一中,ITO玻璃基底的清洗的具体过程为:
ITO用丙酮超声清洗表面的油渍,再洗涤剂清洁衬底片表面,接下来用去污粉轻轻搓洗ITO玻璃基底,进一步对ITO玻璃进行清洗,之后将ITO玻璃用自来水、去离子水反复冲洗干净;将其依次放入盛去离子水、丙酮的烧杯中,各超声清洗20 min。
6.如权利要求4所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件制备方法,其特征在于,所述步骤二中,ITO玻璃基底进行紫外处理具体过程如下:
从干燥好的ITO玻璃基底,放入等离子清洗机中,等离子处理20 min,以进一步清除ITO玻璃基底粘附的有机物,提高ITO表面的功函数。
7.如权利要求4所述双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件制备方法,其特征在于,所述步骤三中,器件的功能层旋涂处理具体过程为:
在空气氛围中旋涂滤头过滤后的PEDOT:PSS并退火,传入到低水氧环境的手套箱中,进行第一界面修饰层的旋涂并退火,Poly-TPD旋涂并退火,第二界面修饰层旋涂并退火;进行钙钛矿发光层旋涂并退火。
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