[实用新型]一种控制超级结MOSFET开关速度的电路有效
申请号: | 202021505383.5 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN212543643U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 彭国建;郭建军;马治军;单宛君;任杰 | 申请(专利权)人: | 上海维安半导体有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H03K17/26 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
地址: | 201202 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种控制超级结MOSFET开关速度的电路,由PWM信号、电阻一、二极管、电容一、超级结MOSFET、电容二共同组成开通回路,电阻一连接PWM信号和二极管阳极;二极管阴极与超级结MOSFET的栅极连接,电容一的一端与超级结MOSFET的栅极连接,另一端与超级结MOSFET的漏极连接;电容二一端与超级结MOSFET的栅极连接,另一端与超级结MOSFET的源极连接;电容三和电阻四串联后并联在超级结MOSFET的漏极和源极之间。本实用新型具有结构简单、方便实现等好处。避免了使用超级结MOSFET时开关速度过快而带来的震荡、干扰、电压尖峰过高、系统EMI特性差等负面影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 超级 mosfet 开关 速度 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海维安半导体有限公司,未经上海维安半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202021505383.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于插拔的FFC连接器
- 下一篇:一种用于机房的空气处理系统
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置