[实用新型]一种控制超级结MOSFET开关速度的电路有效

专利信息
申请号: 202021505383.5 申请日: 2020-07-27
公开(公告)号: CN212543643U 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 彭国建;郭建军;马治军;单宛君;任杰 申请(专利权)人: 上海维安半导体有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/26
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 201202 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种控制超级结MOSFET开关速度的电路,由PWM信号、电阻一、二极管、电容一、超级结MOSFET、电容二共同组成开通回路,电阻一连接PWM信号和二极管阳极;二极管阴极与超级结MOSFET的栅极连接,电容一的一端与超级结MOSFET的栅极连接,另一端与超级结MOSFET的漏极连接;电容二一端与超级结MOSFET的栅极连接,另一端与超级结MOSFET的源极连接;电容三和电阻四串联后并联在超级结MOSFET的漏极和源极之间。本实用新型具有结构简单、方便实现等好处。避免了使用超级结MOSFET时开关速度过快而带来的震荡、干扰、电压尖峰过高、系统EMI特性差等负面影响。
搜索关键词: 一种 控制 超级 mosfet 开关 速度 电路
【主权项】:
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