[实用新型]一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器有效
| 申请号： | 202020851591.4 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN212086072U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘龙球;陈宇;秦宗民;顾少成;刘猛;胡扶遥 | 申请（专利权）人： | 黄石东贝电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M5/458 | 分类号： | H02M5/458;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 徐瑛 |
| 地址： | 435003 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种MOSFET‑IGBT并联应用的变频控制器，包括整流滤波模块、逆变模块和控制模块；所述整流滤波模块的输入端连接交流电源，输出端与逆变模块的输入端连接；所述逆变模块的输出端连接电动机；所述控制模块与逆变模块的信号端连接，用于提供开关信号；所述逆变模块设有三组，三组所述逆变模块分别与电动机的三相交流电源输入端连接；每组所述逆变模块包括两个并联的逆变单元，所述逆变单元包括MOSFET晶体管和IGBT晶体管，所述MOSFET晶体管与IGBT晶体管并联；所述逆变模块的电流路径根据IGBT晶体管的通态压降与当前电流下MOSFET晶体管的通态压降的大小自动选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet igbt 并联 应用 变频 控制器 | ||
【主权项】：
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