[实用新型]一种MOSFET晶圆漏电流并行测试装置有效
| 申请号： | 202020402029.3 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN212379541U | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王煜 | 申请（专利权）人： | 陕西三海测试技术开发有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/52 | 分类号： | G01R31/52;G01R19/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET晶圆漏电流并行测试装置，其测试电路包括测试模块、MOSSFET、开关、载物台，所述测试模块以工作特性分为A、B、C三个端口，从每个端口引出两根连接线分别为采样端口和输出端口，其MOSFET的栅极和测试模块A端口的采样端口和输出端口连接，MOSFET的源极与测试采样模块C端口的采样端口和输出端口连接，所有工位的测试模块B端口串联与被测MOSFET的公共漏极连接，所有被测MOSFET的漏极置于载物台之上，开关分别连接A端口采样端口和B端口采样端口与C端口采样端口和B端口采样端口。本实用新型的一种MOSFET晶圆漏电流并行测试装置，能够实现快速在多工位下测试晶圆MOSFET的漏电流参数，结构简单并且提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 漏电 并行 测试 装置 | ||
【主权项】：
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