[发明专利]多阻态自旋电子器件、读写电路及存内布尔逻辑运算器有效
| 申请号： | 202011643048.6 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112599161B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;林淮;张锋;王迪;刘龙;谢常青;李泠;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多阻态自旋电子器件，包括：顶电极、底电极，分别与读写电路连接；磁隧道结，位于两电极间，从上至下依次包括：铁磁参考层、势垒隧穿层、铁磁自由层以及自旋轨道耦合层。铁磁自由层两端设置成核中心，用于产生磁畴壁；自旋轨道耦合层与底电极相连，施加写入脉冲时，产生电子自旋流，并通过自旋轨道矩驱动磁畴壁移动；自旋轨道耦合层与铁磁自由层界面设置多个局域磁畴壁钉扎中心，用于增强界面间反对称交换作用系数强度。器件通过调控自旋耦合矩和反对称交换作用强度，分别驱动和钉扎铁磁自由层中的磁畴壁，在全电场条件下实现多阻态切换；本发明进一步公开了一种基于此多阻态自旋电子器件的存算一体布尔逻辑及全加运算器。 | ||
| 搜索关键词： | 多阻态 自旋 电子器件 读写 电路 布尔 逻辑 运算器 | ||
【主权项】：
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