[发明专利]量子点发光二极管的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011639291.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN114695736A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 周礼宽;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及显示技术领域,提供了一种量子点发光二极管的制备方法。所述方法包括以下步骤:提供预制器件,在所述预制器件上形成氧化锌纳米材料,制备电子传输层;对处理后的器件进行加热处理,使电子传输层的表面羟基量为0.15~0.6。本申请通过对制备有电子传输层后的器件进行加热处理,调控电子传输层的表面羟基量,减少电子传输层氧化锌表面羟基对量子点发光层的荧光淬灭作用,同时,加热处理可以降低电子传输层的表面羟基量,随着氧化锌表面羟基数量的减少,优化电子与空穴注入平衡,提升载流子辐射复合效率,改善器件EQE及工作状态下寿命。
搜索关键词: 量子 发光二极管 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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