[发明专利]简单低耗制备高熵氧化物陶瓷材料的方法有效
申请号: | 202011609851.8 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112723862B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 苗洋;张丰年;成楚飞;程富豪;高峰 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;C04B35/50;C04B35/453 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 卢泽明 |
地址: | 030000 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及高熵陶瓷制备技术领域,公开了一种简单低耗制备高熵氧化物陶瓷材料的方法,按照如下步骤进行:S1、称取原料:按照设定的配比称量制备所需的原料;S2、颗粒细化:将步骤S1称量完成的原料与分散剂一同加入行星式球磨机的球磨罐中进行颗粒细化研磨,制备出混合均匀的浆料,随后对浆料进行烘干,并再次进行研磨得到细化粉料;S3、放电等离子处理:将完成步骤S2的细化粉料进行放电等离子活化,得到陶瓷生料;S4、微波烧结:对完成步骤S3的陶瓷生料进行微波烧结,即得高熵氧化物陶瓷材料。 | ||
搜索关键词: | 简单 低耗 制备 氧化物 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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