[发明专利]单晶NCM三元正极材料前驱体的制备方法

摘要

本发明提供了一种单晶NCM三元正极材料前驱体的制备方法，包括：S1，按配比将总浓度为1.0～2.2mo1/L的Nix:Coy:Mnz硫酸盐溶液、4～10mol/L苛性钠溶液和20％氨水加入到反应单元(10)内部并同时通入惰性气体进行第一阶段反应，其中x+y+z＝1，1.0＞x≥0.5；S2，测得颗粒D50＝1.5～1.8μm后，提高反应釜内氨值进行第二阶段反应，其中，反应条件为：保持搅拌速度、温度、气流速度不变，氨水浓度控制在2‑7g/L，控制pH为9.00～11.00，利用提固单元(20)进行浓缩以提高固含量并调节提固器的出清速度，最后测得颗粒D50＝3.8‑4.5μm停止反应；S3，浆料经过洗涤、烘干、筛分后得到单晶NCM三元正极材料前驱体。