[发明专利]具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011542840.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670381B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;刘鹏飞 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李艳景 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u型GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、双层AlGaN结构和p型GaN层；其中：p型GaN层表面具有非周期光栅图案结构，由若干条沟槽构成，以p型GaN层正中间的沟槽为界两边对称分布，沟槽间距由中间向两端递减，减小到某个值后保持不变；双层AlGaN结构由p型AlGaN层、低温p型GaN层和p型AlGaN层组成。发光二极管表面的非周期光栅图案结构改变了发光二极管的近场和远场光分布，提高了芯片的发光强度和光线准直度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 周期 光栅 图案 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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