[发明专利]多阴离子掺杂单晶高镍正极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202011525363.9 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112652771B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈来;苏岳锋;聂启军;张其雨;卢赟;包丽颖;吴锋 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学重庆创新中心;北京理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 胡东东 |
| 地址： | 401120 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多阴离子掺杂单晶高镍正极材料及其制备方法，包括以下步骤：S1、将阴离子A与锂盐和高镍单晶三元前驱体三者在无水乙醇中混合均匀，得到第一混合物；S2、将第一混合物置于管式炉中进行煅烧，得到单阴离子掺杂的单晶高镍正极材料；S3、将阴离子B与S2中得到的单晶高镍正极材料分别置于管式炉中进行气相掺杂即得。本发明通过将掺有一种阴离子的前驱体煅烧得到单阴离子掺杂的单晶高镍三元正极材料，随后将另一种阴离子与已得到的单阴离子掺杂的高镍单晶三元正极材料进行气相掺杂，成功得到了多阴离子掺杂的高镍单晶正极材料，克服了传统方式不能有效实现多阴离子掺杂的缺陷，掺杂效果优异，成功提高了单晶高镍三元材料的倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阴离子 掺杂 单晶高镍 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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