[发明专利]柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法有效
申请号: | 202011502106.3 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN112490332B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 程树英;严琼;邓辉;孙全震;杨志远;谢暐昊 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0216 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法,其特征在于,在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂,实现晶界处纳米电场反转,钝化异质结界面缺陷,抑制载流子复合;在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂,实现能带调控,钝化背接触界面缺陷,抑制电子流向背接触界面,减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率,而且工艺简单、成本低廉、绿色环保,满足了大规模批量生产与商业化的需求,制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上,具有较强的推广与应用价值。 | ||
搜索关键词: | 柔性 阳离子 掺杂 cztsse 太阳电池 界面 钝化 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的