[发明专利]一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用有效
申请号: | 202011492977.1 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112735670B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 甘国友;张温华;李俊鹏;余向磊;汤显杰;程君华;张家敏;杜景红;严继康;易健宏 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学;贵研铂业股份有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 昆明隆合知识产权代理事务所(普通合伙) 53220 | 代理人: | 龙燕 |
地址: | 650000 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用,属于材料制备技术领域。本发明所述方法采用喷雾法制取了粒径可控的微米级锡球,随后采用一种改进的化学还原法,在室温下合成微米级包银锡球,与双酚A环氧树脂混合后三辊闸制,得到成品各项异性导电胶膜。本发明成功解决了当前对低成本硬质Sn球进行包覆时,锡球活泼性过强在包覆过程中轻微置换,导致锡球碎裂的问题;成功使用低价锡球实现了包覆,并作为导电颗粒成功制成各向异性导电胶膜(ACF)。 | ||
搜索关键词: | 一种 微米 包银 导电 颗粒 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学;贵研铂业股份有限公司,未经昆明理工大学;贵研铂业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011492977.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。