[发明专利]一种SnO2有效

专利信息
申请号: 202011485013.4 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112599363B 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 刘爽 申请(专利权)人: 益阳华微电子科技有限公司
主分类号: H01G11/34 分类号: H01G11/34;H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/46;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州君和专利代理事务所(特殊普通合伙) 33442 代理人: 包雪雷
地址: 413000 湖南省益*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及超级电容器技术领域,且公开了一种SnO2修饰的N、P共掺杂多孔碳的超级电容器材料,前驱体[Sn(Cl)6]2‑水解生成SnO2晶核,得到SnO2纳米花,具有超高的比表面积,三聚氰胺酚醛树脂磷酸盐将SnO2纳米花均匀包覆,再与氢氧化钾混合后进行热处理,得到多孔碳材料,极大地增加了比表面积,同时在高温热处理的过程中,N、P均匀的掺杂入多孔碳材料,改变了多孔碳材料表面与离子的电化学反应过程,增强了多孔碳材料的导电性,SnO2纳米花均匀修饰到多孔碳材料上,促进了电解质离子的快速传递,提高了多孔碳材料的电容性,使得SnO2修饰的N、P共掺杂多孔碳的超级电容器材料具有更加优异的比电容、循环稳定性等电化学性能。
搜索关键词: 一种 sno base sub
【主权项】:
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