[发明专利]一种纳米复合材料氧掺杂二硫化钼/二氧化钛纳米管阵列的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202011469828.3 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112811523A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 李婷婷;何花;韩子铭;龚瀛;杨松;洪昶 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: C02F1/461 分类号: C02F1/461;C02F1/30;C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00;C02F101/30
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 马莉
地址: 330000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种纳米复合材料氧掺杂二硫化钼/二氧化钛纳米管阵列的制备方法及其应用;其原理是将阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列,置于含有七钼酸铵、硫代乙酰胺、连二亚硫酸钠和氨水的混合溶液中,采用简单的化学浴沉积法,在TiO2纳米管阵列上沉积MoOxSy纳米粒子,得到MoOxSy/TiO2纳米管阵列。本发明的优点是化学浴沉积法工艺简单、条件温和、节能环保。所制得的MoOxSy/TiO2纳米管阵列,原位生长在钛箔基底上,竖直排列,尺寸均一,可以直接作为光电极用于盐酸四环素的光电催化降解,其降解效率是TiO2纳米管阵列的1.5倍。
搜索关键词: 一种 纳米 复合材料 掺杂 二硫化钼 氧化 阵列 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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