[发明专利]一种花球状N掺杂SnO2

摘要

本发明涉及掺杂光催化产氢领域，且公开了一种花球状N掺杂SnO2负载g‑C3N4的光催化产氢材料，SnO2在水热过程中晶核逐渐生长，在聚乙烯吡咯烷酮作用下，晶核表面形成了小块凸起的纳米粉体，N掺杂SnO2后样品形貌发生改变，最终生长为纳米花球状N掺杂SnO2，空心管状纳米g‑C3N4在与其水热过程中，纳米花球状N掺杂SnO2先在空心管状纳米g‑C3N4表面粗糙的位置生长，当光催化材料受到辐射，光生电子会从空心管状纳米g‑C3N4的价带跃迁，留下空穴，产生光生电子和空穴，两者形成异质结结构并为光生电子提供传输通道，使光生电子和空穴的快速分离，光生电子迁移到空心管状纳米g‑C3N4表面发生反应将氢离子还原成氢气，从而提高产氢效率。