[发明专利]阵列型掺杂多壁碳纳米管及其制备方法和电极材料在审
| 申请号： | 202011452994.2 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112723339A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 万远鑫;黄少真;孔令涌;任望保;王敏;余永龙 | 申请（专利权）人： | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;C01B32/168;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种阵列型掺杂多壁碳纳米管，包括多壁碳纳米管和掺杂在多壁碳纳米管中的掺杂原子；该阵列型掺杂多壁碳纳米管具有径向导电通道，径向导电通道是由掺杂原子与多壁碳纳米管的相邻管壁通过共价键合形成，所述阵列型掺杂多壁碳纳米管的管径为1‑100nm，长度为10μm‑100μm。该阵列型掺杂多壁碳纳米管具有良好的导电性，将其应用在电极材料中能够提高电极材料的导电性。本申请还提供了阵列型掺杂多壁碳纳米管的制备方法。该制备方法工艺简单，操作便捷，所得的阵列型掺杂多壁碳纳米管的良品率高。本申请还提供了含有阵列型掺杂多壁碳纳米管的电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 掺杂 多壁碳 纳米 及其 制备 方法 电极 材料 | ||
【主权项】：
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