[发明专利]一种具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件在审
| 申请号： | 202011401007.6 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112420692A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 曹小强 | 申请（专利权）人： | 成都博思微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件，包括第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第二P+掺杂区、第二N+掺杂区、第一触发结构和电阻R，其中：所述第一P+掺杂区一端连接PAD端，一端连接第一N+掺杂区；所述第一N+掺杂区两端分别连接第一、第二P+掺杂区；所述第二P+掺杂区两端分别连接第一、第二N+掺杂区；所述第二N+掺杂区一端连接第二P+掺杂区，一端连接接地端；所述第一触发结构连接端通过触发结构与PAD端连接；所述电阻R一端连接第一触发结构，一端连接接地端。本发明的有益效果：使NPN的BE结正偏，开启可控硅；采用堆叠SCR原理，实现双向电压保护和高维持电压，实现Latch‑up免疫。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 维持 压低 触发 电压 esd 特性 scr 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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