[发明专利]一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法有效
| 申请号： | 202011389027.6 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112687768B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 南琦 | 申请（专利权）人： | 木昇半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，包括如下步骤：在金刚石衬底上生长AlN层；在所述AlN层上生长n型AlGaN层；在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复生长若干组AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层形成多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型AlGaN层。本发明可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法可直接调整外延结构中C基金刚石偏振光栅过滤结构，达到所需的偏振光源，无需外部附加涂覆薄膜调制结构，避免了过多光功率的损失，由该方法制作的UV紫外光电芯片，直接发出的光就是所定制需求的偏振光源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 光栅 阵列 结构 外延 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于木昇半导体科技（苏州）有限公司，未经木昇半导体科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011389027.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
