[发明专利]RRAM Cell stack TaOx制作方法和结构在审
| 申请号： | 202011362522.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112599665A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 徐灵芝;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RRAM Cell stack TaOx制作方法，包括以下步骤：在MxVx层形成RRAM Cell stack的下层TiN，第一次淀积预设厚度T的Ta；在第一预设条件下形成未完全氧化的渐变TaOx层；在第二预设条件下形成过氧化Ta层；再次淀积Ta和TiN，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成RRAM Cell Stack结构。本发明还公开了一种RRAM Cell stack TaOx结构。本发明采用改变对Ta的氧化方式来获得TaOx的渐变结构，通过分步控制氧化条件来获得TaOx阻变材料，能避免Ta过氧化难于控制造成氧空位进而满足器件设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | rram cell stack taox 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
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