[发明专利]一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法、磁性存储单元及存储器在审
| 申请号： | 202011361147.5 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112509619A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赵月雷;周艳;杨晟;周钰卿;李晓光;武凯 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 518115 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法，所述反铁磁结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述方法包括如下步骤：S1、将所述反铁磁结构接入电路中，对所述反铁磁结构加第一方向电流，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的磁畴仅部分翻转；S2、对所述反铁磁结构加第二方向电流，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的磁畴完全翻转；其中，所述第一方向与所述第二方向相反。本发明提供的方法可以在不施加外磁场的情况下仅通过正负电流组合的方式即可实现磁畴完全翻转，相对于现有技术减少了施加磁场的装置，大大降低了器件的尺寸，提高了器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用电 完全 翻转 人工合成 反铁磁 结构 中磁畴 方法 磁性 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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