[发明专利]一种柔性TMR磁阻传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011307158.5 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112490351A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘明;胡忠强;关蒙萌;王志广;周子尧;毛若浩;朱媛媛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种柔性TMR磁阻传感器，包括柔性基底、下电极层、磁阻结构、绝缘层和上电极层；下电极层设置在柔性基底上，磁阻结构设置在下电极层上，上电极层设置在磁阻结构上；绝缘层设置在上电极层和柔性基底之间，且包裹在磁阻结构外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 tmr 磁阻 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011307158.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
