[发明专利]第一层金属布局方法及集成电路在审
| 申请号： | 202011266113.8 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112380805A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张思萌;蔡晓波;任建军 | 申请（专利权）人： | 上海亿存芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398;H01L27/02;G06F115/06 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种第一层金属布局方法，包括计算得到绕线格点线间距，以所述第一层金属a或所述第一层金属b的长度方向为第一方向，然后以所述第一方向为延伸方向以及间距为所述绕线格点线间距设置多条绕线格点线，其中，所述第一层金属a和所述第一层金属b的长度方向相同，沿所述绕线格点线设置第一层金属c，沿所述绕线格点线设置第一层金属e和第一层金属f，增加了第一层金属的布线通道数，提高了布通率，且有源区和栅极接触孔数量大于或等于一个，无需额外占用第一层金属的布线通道，接触孔数量增加，从而增加了版图的可靠性。本发明还提供了一种集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一层 金属 布局 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
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