[发明专利]一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011262292.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112382718A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 郑泽渔;赵雪梅 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/04;H01L41/047;H01L41/22;H01L41/29;H01L41/39;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法，包括：在蓝宝石或YAG晶体上依次制备自缓冲层AlN薄膜、金属电极层、AlN压电薄膜。自缓冲层AlN薄膜诱导金属电极层取向，实现在电极层上制备高度C轴择优取向AlN薄膜。蓝宝石或YAG晶体与高纯溅射靶成45°，有效调控溅射原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于生长缓冲层和AlN压电薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数。本发明方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向AlN薄膜，得到的AlN薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 择优取向 aln 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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