[发明专利]阴离子诱导碳纳米片中选择性生长超小铜模板法合成氮掺杂多孔碳、方法及应用在审
| 申请号： | 202011258172.0 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112390246A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 杨正龙 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15;B01J20/20;B01J20/28;B01J20/30;C10L3/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 许耀 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种阴离子诱导碳纳米片中选择性生长超小铜模板法合成氮掺杂多孔碳、方法及应用，以聚4‑乙烯吡啶和二水合氯化铜为原料，Cu |
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| 搜索关键词： | 阴离子 诱导 纳米 片中 选择性 生长 铜模 合成 掺杂 多孔 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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