[发明专利]一种选择性发射极钝化接触太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202011245563.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112331742A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张松;朱俊;沈家军;陆红艳;程晓伟;朱凡;李志刚 | 申请（专利权）人： | 帝尔激光科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/103 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种选择性发射极钝化接触太阳电池的制备方法，在背面的N+多晶硅掺杂层进行局部掺杂，形成N++重掺杂区；在N型硅片的正面和背面分别进行电极金属化时，背面电极套印在所述的N++重掺杂区上。本发明通过在背面制备选择性发射极，在保证钝化效果、高填充因子的前提下，尽可能减薄N+多晶硅掺杂层厚度和降低整体掺杂浓度，提升短路电流，提升太阳电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 钝化 接触 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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