[发明专利]基于无结型晶体管的表征方法在审
| 申请号： | 202011242826.0 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112151403A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘盛富;刘海彬;张均安;胡云斌;刘森 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于无结型晶体管的表征方法，包括：提供待测绝缘体上硅；将第一探针和第二探针置于顶层硅上；调整施加到衬底的偏置电压，以使待测绝缘体上硅工作在积累区，并获取积累区漏极电流；施加到衬底的偏置电压，以使待测绝缘体上硅工作在部分耗尽区，并获取部分耗尽区漏极电流；基于积累区漏极电流及部分耗尽区漏极电流以及施加到第一端口、第二端口以及第三端口的电压表征待测绝缘体上硅的参数。本发明的基于伪MOS晶体管实现无结型晶体管；基于无结型晶体管，可实现对超薄重掺杂SOI材料的表征；无结型晶体管可同时实现对p型和n型掺杂SOI的激活杂质浓度、体迁移率和界面迁移率的表征。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 无结型 晶体管 表征 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
