[发明专利]一种N型单晶硅HBC太阳能电池制备方法在审
| 申请号： | 202011208291.5 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112490324A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 田得雨;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0463;H01L31/0216;H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型单晶硅HBC太阳能电池制备方法，利用LPCVD设备及Mark点定位技术，采用激光消融技术配合油墨保护层制备得到呈叉指状间隔排列的P型掺杂多晶硅层和N+型掺杂多晶硅层，从而得到更优钝化、更高开压、更高效率和更低成本的HBC电池；采用本发明，简化所述N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，得到钝化效果好、开压高、效率高的N型单晶硅HBC太阳能电池，实现N型单晶硅HBC太阳能电池工艺简单、低成本、高效率的规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 hbc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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