[发明专利]一种雪崩光电二极管的制造方法

摘要

本发明公开一种雪崩光电二极管的制造方法，属于二极管技术领域。首先提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上进行两次外延；氧化所述衬底，再生长出SIN层；光刻开出沟槽区，并进行Trench沟槽刻蚀；进行热氧化隔离，并用多晶POLY填充Trench沟槽；去除表面多晶POLY后再次氧化形成隔离；使用第二导电类型的掺杂剂进行高掺杂，形成第二导电电极区；光刻正面打孔，正反面沉积金属电极，形成雪崩光电二极管。本发明的制造方法步骤简单，能实现高增益高速雪崩光电二极管和实现单元间隔离的效果；增加光电流吸收效率，并且降低雪崩电场从而提高耐压；本发明的工艺涉及的设备、材料为常用MOS器件制作中的通用设备，不需新增材料及设备。